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MT53E1G32D2FW-046 AAT:B
DRAM, LPDDR4 Móvil, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G32D2FW-046 AAT:BCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark80AJ9993
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G32D2FW-046 AAT:BCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark80AJ9993
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM32Gbit
Densidad de Memoria32
Configuración de Memoria1G x 32bit
Configuración Memoria DRAM1G x 32bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133
Memoria, TipoTFBGA
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso468ps
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Resumen del producto
El MT53E1G32D2FW-046 AAT:B es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) CMOS de alta velocidad para aplicaciones móviles automotrices LPDDR4 SDRAM de 32 bits.
- Configuración de memoria de 1 GB x 32 bits, velocidad de datos de 4266Mb/s por pin, tiempo de ciclo tCK RL = 36/40 de 468ps
- Voltaje de funcionamiento: 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ o 1.10V VDDQ / 1.80V VDD1
- Grado automotriz AEC-Q100
- Rango de frecuencia de 2133 a 10MHz, frecuencia de reloj de 2133MHz, arquitectura DDR con precarga de 16n.
- 8 bancos internos por canal para operación concurrente, entrada CMD/ADR de velocidad de datos única.
- Señal de datos bidireccional/diferencial por carril de byte, latencias de lectura y escritura programables (RL/WL).
- Sensor de temperatura en chip para controlar la frecuencia de actualización automática
- Sensor de temperatura integrado para controlar la frecuencia de autorrefresco, potencia de salida seleccionable (DS)
- Autorrefresco parcial de la matriz (PASR), terminación VSS programable (ODT), CK de terminación simple, compatible con DQS
- Rango de temperatura de funcionamiento de -40 a +105 °C, encapsulado TFBGA de 200 pines, 10 x 14.5 x 1.1mm (Ø0,40 SMD).
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria
32
Configuración Memoria DRAM
1G x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de DRAM
32Gbit
Configuración de Memoria
1G x 32bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
TFBGA
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
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Certificado de conformidad del producto