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MT53E128M32D2DS-046 WT:A
DRAM, LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E128M32D2DS-046 WT:A
No. Parte Newark80AH8312
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E128M32D2DS-046 WT:A
No. Parte Newark80AH8312
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria4Gbit
Densidad de DRAM4Gbit
Configuración Memoria DRAM128M x 32bit
Configuración de Memoria128M x 32bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133GHz
Memoria, TipoWFBGA
Estuche / Paquete CIWFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1V
Tiempo de Acceso-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-25°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM
4Gbit
Configuración de Memoria
128M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
WFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
4Gbit
Configuración Memoria DRAM
128M x 32bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
WFBGA
No. de Pines
200Pines
Tiempo de Acceso
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-25°C
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto