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MT53B128M32D1DT-053 AIT:A
DRAM, AEC-Q100, SDRAM LPDDR4 Móvil, 4 Gbit, 128M x 32bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53B128M32D1DT-053 AIT:A
No. Parte Newark16AM8735
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53B128M32D1DT-053 AIT:A
No. Parte Newark16AM8735
Tipo de DRAMSDRAM LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria4
Configuración de Memoria128M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj1.866
Estuche / Paquete CIVFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.95
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
SDRAM LPDDR4 Móvil
Configuración de Memoria
128M x 32bit
Estuche / Paquete CI
VFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de Memoria
4
Frecuencia Max de Reloj
1.866
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
95
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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