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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29VZZZCDAFQKWL-046 W.G0LCopiar
No. Parte Newark80AH7889
Rango de Producto3.3V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29VZZZCDAFQKWL-046 W.G0LCopiar
No. Parte Newark80AH7889
Rango de Producto3.3V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNAND
Densidad de Memoria2112Gbit
Tamaño de la Memoria2112Gbit
Configuración Memoria Flash132G x 16bit
Configuración de Memoria132G x 16bit
InterfacesParalelo
Tipo de Interfaz ICParallel
Estuche / Paquete CITFBGA
Memoria, TipoTFBGA
No. de Pines254Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj-
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.-
Tensión de Alimentación Máx.-
Temperatura de Trabajo Mín.-55°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto3.3V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NAND
Tamaño de la Memoria
2112Gbit
Configuración de Memoria
132G x 16bit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Memoria, Tipo
TFBGA
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
-
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
2112Gbit
Configuración Memoria Flash
132G x 16bit
Interfaces
Paralelo
Estuche / Paquete CI
TFBGA
No. de Pines
254Pines
Frecuencia de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-55°C
Rango de Producto
3.3V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
