MT28EW128ABA1LJS-0SIT
Memoria Flash, NOR Paralela, 128 Mbit, 8M x 16bit / 16M x 8bit, Paralelo, TSOP, 56 Pines
| Fabricante | MICRON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MT28EW128ABA1LJS-0SITCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 semanas |
| No. Parte Newark | 80AH7597 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
¿Necesita más?
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $56.400 |
Información del producto
| Fabricante | MICRON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MT28EW128ABA1LJS-0SITCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 semanas |
| No. Parte Newark | 80AH7597 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Memoria Flash | NOR Paralela |
| Densidad de Memoria | 128 |
| Tamaño de la Memoria | 128Mbit |
| Configuración Memoria Flash | 8M x 16bit / 16M x 8bit |
| Configuración de Memoria | 8M x 16bit / 16M x 8bit |
| Tipo de Interfaz IC | Parallel |
| Interfaces | Paralelo |
| Memoria, Tipo | TSOP |
| Estuche / Paquete CI | TSOP |
| No. de Pines | 56Pines |
| Frecuencia Max de Reloj | - |
| Frecuencia de Reloj | - |
| Tiempo de Acceso | 70 |
| Tensión de Alimentación Mín. | 2.7 |
| Tensión de Alimentación Máx. | 3.6 |
| Tensión de Alimentación Nom. | 3 |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 85 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (08-Jul-2021) |
Resumen del producto
MT28EW128ABA1LJS-0SIT es una memoria flash NOR paralela integrada. Es un dispositivo de memoria Flash NOR paralelo, de bloque uniforme y asincrónico. Las operaciones de LECTURA, BORRAR y PROGRAMACIÓN se realizan utilizando una única fuente de alimentación de bajo voltaje. Al encenderse, el dispositivo pasa de manera predeterminada al modo de matriz de lectura. La matriz de memoria principal está dividida en bloques uniformes que se pueden borrar de forma independiente para poder conservar los datos válidos mientras se eliminan los datos antiguos. El dispositivo admite lectura aleatoria asincrónica y lectura de páginas de todos los bloques de la matriz. También cuenta con un buffer de programa interno que mejora el rendimiento al programar 512 palabras a través de una secuencia de comandos. Un bloque de memoria extendida de 128 palabras superpone direcciones con el bloque de matriz 0. Los usuarios pueden programar este espacio adicional y luego protegerlo para asegurar permanentemente el contenido. El dispositivo también cuenta con diferentes niveles de protección de hardware y software para proteger los bloques de modificaciones no deseadas.
- Tecnología de proceso de celda de un solo nivel (SLC)
- Voltaje de alimentación: VCC = 2.7–3.6V (programa, borrado, lectura), VCCQ = 1.65 - VCC (búferes de E/S)
- Programa de palabra/byte: 25us por palabra (típico)
- Borrado de bloque (128 KB): 0.2s (TYP)
- Desbloquear bypass, borrado de bloque, borrado de chip y capacidad de escritura en búfer
- Operación de VERIFICACIÓN DE REDUNDANCIA CÍCLICA (CRC) para verificar un patrón de programa
- Protección VPP/WP#: protege el primer o el último bloque independientemente de la configuración de protección del bloque
- Compatible con JESD47, 100,000 (mínimo) ciclos de BORRADO por bloque, retención de datos: 20 años (TÍPICO)
- Densidad de 128Mb, configuración x8, x16
- Paquete TSOP de 56 pines, rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
| Tipo de Memoria Flash | NOR Paralela |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 128Mbit |
| Configuración de Memoria | 8M x 16bit / 16M x 8bit |
| Interfaces | Paralelo |
| Estuche / Paquete CI | TSOP |
| Frecuencia Max de Reloj | - |
| Tiempo de Acceso | 70 |
| Tensión de Alimentación Máx. | 3.6 |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 85 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Densidad de Memoria | 128 |
|---|---|
| Configuración Memoria Flash | 8M x 16bit / 16M x 8bit |
| Tipo de Interfaz IC | Parallel |
| Memoria, Tipo | TSOP |
| No. de Pines | 56Pines |
| Frecuencia de Reloj | - |
| Tensión de Alimentación Mín. | 2.7 |
| Tensión de Alimentación Nom. | 3 |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (08-Jul-2021) |
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | 3A991B1A |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (08-Jul-2021) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |