MSC080SMA120B

SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 37A, TO-247-3

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MICROCHIP MSC080SMA120B
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC080SMA120B
No. Parte Newark29AK2560
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Información del producto

FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC080SMA120B
No. Parte Newark29AK2560
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id37
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia200
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)

Especificaciones técnicas

Configuración de Módulo MOSFET

Single

Transistor, Polaridad

0

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

1.2

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.08

No. de Pines

3Pines

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

2.8

Disipación de Potencia

200

Rango de Producto

-

Tipo de Canal

N Channel

Intensidad Drenador Continua Id

37

Resistencia de Activación Rds(on)

0

Diseño de Transistor

TO-247

Voltaje de Prueba Rds(on)

20

Disipación de Potencia Pd

0

Temperatura de Trabajo Máx.

175

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (25-Jun-2025)

Legislación y medioambiente

US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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