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LND150K1-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteLND150K1-GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)85X3191
Cinta adhesiva85X3191
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.382 | $1,146.00 |
| Total Precio | $1,146.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.382 |
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteLND150K1-GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)85X3191
Cinta adhesiva85X3191
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id13
Resistencia de Activación Rds(on)850ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1000
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-236AB
Disipación de Potencia360
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (14-Jun-2023)
Resumen del producto
El LND150K1-G es un DMOS FET de modo de agotamiento de canal N que utiliza la tecnología DMOS lateral de Supertex. La puerta está protegida contra ESD. Es ideal para aplicaciones de alto voltaje en las áreas de interruptores normalmente encendidos, fuentes de corriente constante de precisión, generación y amplificación de rampas de voltaje.
- Libre de desglose secundario
- Requerimiento de unidad de baja potencia
- Facilidad de paralelismo
- Excelente estabilidad térmica
- Diodo de fuente integral de drenaje
- Alta impedancia de entrada y baja CISS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
850ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
360mW
Diseño de Transistor
TO-236AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
13
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1000
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia
360
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (14-Jun-2023)
Alternativas para el número de pieza LND150K1-G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (14-Jun-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
