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2N6661
MOSFET, N-CH, 90V, 1.5A, TO-39-3
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte Fabricante2N6661Copiar
No. Parte Newark44AC3447
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds90V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4ohm
Diseño de TransistorTO-39
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia6.25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
90V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-39
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia
6.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N6661
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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