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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXYN100N65A3
No. Parte Newark03AH2083
Rango de ProductoXPT GenX3 Series
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $25.010 |
| 5+ | $25.010 |
| 10+ | $23.540 |
| 25+ | $21.940 |
| 100+ | $20.340 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXYN100N65A3
No. Parte Newark03AH2083
Rango de ProductoXPT GenX3 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSencillo
Corriente de Colector DC170A
Corriente del Colector Continua170
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.44
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.44V
Disipación de Potencia Pd600W
Disipación de Potencia600
Temperatura de Trabajo Máx.175
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Diseño de TransistorSOT-227B
Terminación del IGBTPerno
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo650V
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Tecnología IGBTPlanar
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoXPT GenX3 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Sencillo
Corriente del Colector Continua
170
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.44V
Disipación de Potencia
600
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
170A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.44
Disipación de Potencia Pd
600W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Diseño de Transistor
SOT-227B
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
650V
Tecnología IGBT
Planar
Rango de Producto
XPT GenX3 Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto