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IXTP6N100D2
MOSFET, N-CH, 1KV, 6A, TO-220AB
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTP6N100D2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante34 semanas
No. Parte Newark29AK0491
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.260 |
| 10+ | $10.700 |
| 25+ | $9.270 |
| 50+ | $8.600 |
| 100+ | $7.580 |
| 250+ | $7.220 |
| 500+ | $6.710 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTP6N100D2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante34 semanas
No. Parte Newark29AK0491
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1kV
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia300W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.2ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
300W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Alternativas para el número de pieza IXTP6N100D2
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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