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IXFH120N30X3
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 120 A, 8.6 mohm, TO-247, Agujero Pasante
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| Fabricante | LITTELFUSE |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IXFH120N30X3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 43 semanas |
| No. Parte Newark | 03AH0522 |
| Rango de Producto | Serie Clase-X3 HiPerFET |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| 10+ | $21.040 |
| 25+ | $18.070 |
| 50+ | $15.090 |
| 100+ | $14.030 |
| 250+ | $13.130 |
| 500+ | $12.870 |
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Información del producto
| Fabricante | LITTELFUSE |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IXFH120N30X3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 43 semanas |
| No. Parte Newark | 03AH0522 |
| Rango de Producto | Serie Clase-X3 HiPerFET |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 300 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 120 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 8.6 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0086ohm |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4.5 |
| Disipación de Potencia | 735 |
| Disipación de Potencia Pd | 735W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | Serie Clase-X3 HiPerFET |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | To Be Advised |
Alternativas para el número de pieza IXFH120N30X3
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Resumen del producto
MOSFET de potencia HiPerFET™ de clase X3 con clasificación de avalancha en modo de mejora de canal N. Es adecuado para su uso en convertidores CD-CD, fuentes de alimentación de modo conmutado y resonante, circuitos PFC, accionamientos de motores de CA y CD, robótica y aplicaciones de servocontrol.
- Bajo RDS (encendido) y QG
- Baja inductancia del paquete.
- Alta densidad de potencia
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 300 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 8.6 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 735 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 120 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0086ohm |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4.5 |
| Disipación de Potencia Pd | 735W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | Serie Clase-X3 HiPerFET |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | To Be Advised |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | To Be Advised |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |