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IXTN210P10T
MOSFET MODULE, P-CHANNEL, 100V, 210A
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTN210P10T
No. Parte Newark71AH4575
Rango de ProductoTrenchP Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
163 En Inventario
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72 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
91 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $52.710 |
| 5+ | $47.720 |
| 10+ | $42.720 |
| 30+ | $41.380 |
| 50+ | $40.040 |
| 100+ | $38.690 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$52.71
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTN210P10T
No. Parte Newark71AH4575
Rango de ProductoTrenchP Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id210A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7500µohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia830W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchP Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
210A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7500µohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia
830W
Rango de Producto
TrenchP Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65