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IXTH24N50
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247AD, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTH24N50
No. Parte Newark72K6136
Rango de ProductoMegaMOS Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTH24N50
No. Parte Newark72K6136
Rango de ProductoMegaMOS Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id24A
Resistencia de Activación Rds(on)0.23ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.23ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMegaMOS Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Resumen del producto
El IXTH24N50 es un MOSFET de potencia estándar de canal N único MegaMOS™ que ofrece un tiempo de conmutación rápido y una alta densidad de potencia. Es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas y de modo resonante y interruptores de CD.
- Paquetes estándar internacionales
- Proceso HDMOS™ de bajo RDS (ON)
- Estructura de celda de puerta de polisilicio resistente
- Inductancia de paquete baja (<lt/>5nH) - fácil de manejar y proteger
- Fácil de montar con 1 tornillo (orificio de tornillo de montaje aislado)
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.23ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MegaMOS Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.23ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65