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IXFN200N10P
TRANS MOSFET, CANAL N, 200A, 100V
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| Fabricante | IXYS SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IXFN200N10PCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 25 semanas |
| No. Parte Newark | 58M7621 |
| Rango de Producto | Polar(TM) HiPerFET |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
1,542 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $34.580 |
| 10+ | $25.480 |
| 100+ | $24.540 |
| 500+ | $23.600 |
| 1000+ | $22.660 |
| 2500+ | $21.720 |
| 10000+ | $20.780 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$34.58
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Información del producto
| Fabricante | IXYS SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IXFN200N10PCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 25 semanas |
| No. Parte Newark | 58M7621 |
| Rango de Producto | Polar(TM) HiPerFET |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Intensidad Drenador Continua Id | 200A |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 7500µohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0075ohm |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 15V |
| Diseño de Transistor | ISOTOP |
| Montaje de Transistor | Módulo |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 5V |
| Disipación de Potencia | 680W |
| Disipación de Potencia Pd | 680W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| No. de Pines | 4Pines |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | Polar(TM) HiPerFET |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | To Be Advised |
Resumen del producto
El IXFN200N10P es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N que cuenta con miniBLOC con aislamiento de nitruro de aluminio, proceso HDMOSTM de bajo RDS (encendido), estructura de celda de compuerta de polisilicio resistente y clasificación de conmutación inductiva no sujeta (UIS).
- Rectificador intrínseco rápido
- Estructura de celda de puerta de polisilicio resistente
- El epoxi encapsulado cumple con UL94V-0, clasificación de inflamabilidad
- Estructura de celda de puerta de polisilicio resistente
- Fácil montaje
- Alta densidad de potencia
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0075ohm |
| Diseño de Transistor | ISOTOP |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 5V |
| Disipación de Potencia Pd | 680W |
| No. de Pines | 4Pines |
| Rango de Producto | Polar(TM) HiPerFET |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | To Be Advised |
| Intensidad Drenador Continua Id | 200A |
|---|---|
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 7500µohm |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 15V |
| Montaje de Transistor | Módulo |
| Disipación de Potencia | 680W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | To Be Advised |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |