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IXFH26N50P3
MOSFET, CANAL N, 500V, 26A, TO-247
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| Fabricante | IXYS SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IXFH26N50P3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 34AC1884 |
| Rango de Producto | Polar3 HiperFET |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.730 |
| 10+ | $6.650 |
| 100+ | $6.180 |
| 500+ | $5.700 |
| 1000+ | $5.480 |
| 2500+ | $5.370 |
| 10000+ | $5.260 |
Precio para:Cada
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Múltiple: 1
$10.73
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Información del producto
| Fabricante | IXYS SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IXFH26N50P3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 34AC1884 |
| Rango de Producto | Polar3 HiperFET |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 500V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 26A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.25ohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 5V |
| Disipación de Potencia | 500W |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | Polar3 HiperFET |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (12-Jan-2017) |
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 500V |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.25ohm |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia | 500W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | Polar3 HiperFET |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 26A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 5V |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (12-Jan-2017) |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (12-Jan-2017) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |