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IXFH26N50
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 26 A, 0.2 ohm, TO-247AD, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH26N50
No. Parte Newark76K1241
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH26N50
No. Parte Newark76K1241
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id26A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Alternativas para el número de pieza IXFH26N50
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Resumen del producto
El IXFH26N50 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 500 V con diodo intrínseco rápido (HiPerFET™) y proceso HDMOS™ de bajo RDS (encendido). El MOSFET de potencia más popular de IXYS (HiPerFET™) es para aplicaciones tanto de conmutación dura como de modo resonante. Este MOSFET ofrece una carga de puerta baja y una resistencia excelente con un diodo intrínseco rápido.
- Estructura de celda de puerta de polisilicio resistente
- Conmutación inductiva no sujeta (UIS) clasificada
- La baja inductancia ofrece facilidad para conducir y proteger
- Rectificador intrínseco rápido
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
26A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65