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IXFH18N100Q3
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH18N100Q3
No. Parte Newark76Y3353
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 13 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $18.430 |
| 5+ | $16.920 |
| 10+ | $15.430 |
| 25+ | $14.510 |
| 60+ | $14.050 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$18.43
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH18N100Q3
No. Parte Newark76Y3353
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.66
Resistencia de Activación Rds(on)0.66ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd830W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6.5
Disipación de Potencia830
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.66
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
830W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0.66ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
830
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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