Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH170N10P
No. Parte Newark58M7594
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
302 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $13.040 |
| 10+ | $11.350 |
| 25+ | $9.650 |
| 60+ | $8.280 |
| 120+ | $7.980 |
| 270+ | $7.650 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$13.04
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH170N10P
No. Parte Newark58M7594
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id170
Resistencia de Activación Rds(on)0.009ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd714W
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia714
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXFH170N10P es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N único Polar™ con diodo intrínseco rápido (HiPerFET™). Cuenta con una reducción de la resistencia de encendido estático de drenaje a fuente y alta densidad de potencia. Es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas y de modo resonante, convertidores CD a CD y controladores láser.
- Paquetes estándar internacionales
- Calificación de avalancha
- Bajo Qg
- Baja inductancia del paquete.
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
170
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
714
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.009ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
714W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto