Imprimir página
IXFB210N30P3
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFB210N30P3Copiar
No. Parte Newark68X2857
Su número de pieza
275 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $31.820 |
| 5+ | $29.290 |
| 10+ | $28.220 |
| 25+ | $27.250 |
| 50+ | $26.390 |
| 100+ | $25.880 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$31.82
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFB210N30P3Copiar
No. Parte Newark68X2857
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id210
Resistencia de Activación Rds(on)0.0145ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0145
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.89kW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia1.89
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IXFB210N30P3 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features dynamic dv/dt rating, fast intrinsic rectifier and low drain-to-tab capacitance.
- Fast intrinsic rectifier
- Dynamic dv/dt rating
- Low drain to tab capacitance
- Easy to mount
- Space savings
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0145ohm
Diseño de Transistor
TO-264
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
210
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0145
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
1.89kW
Disipación de Potencia
1.89
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
