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IS62WV51216BLL-55TLI
SRAM, 512K X 16, 3V, 55NS, 44TSOP2
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS62WV51216BLL-55TLICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark39T1311
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS62WV51216BLL-55TLICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark39T1311
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria8Mbit
Configuración Memoria SRAM0
Tensión de Alimentación, Rango0
Configuración de Memoria512K x 16bit
Estuche / Paquete CITSOP-II
Memoria, Tipo0
No. de Pines44Pines
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Mín.2.5V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3.3V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 5 - 48 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Densidad de Memoria
8Mbit
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
No. de Pines
44Pines
Tensión de Alimentación Mín.
2.5V
Tensión de Alimentación Nom.
3.3V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 5 - 48 hours
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
512K x 16bit
Memoria, Tipo
0
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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