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IS43DR16640B-25DBLI
SDRAM, DDR2, 1GBIT, 1,8V, 84BGA
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43DR16640B-25DBLICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark53W9298
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43DR16640B-25DBLICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark53W9298
Hoja de datos técnicos
Configuración Memoria DRAM0
Tipo de DRAMDDR2
Densidad de Memoria1Gbit
Densidad de DRAM0
Memoria, Tipo0
Configuración de Memoria64M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj400MHz
Frecuencia de Reloj0
Estuche / Paquete CIBGA
Tiempo de Acceso0
No. de Pines84Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración Memoria DRAM
0
Densidad de Memoria
1Gbit
Memoria, Tipo
0
Frecuencia Max de Reloj
400MHz
Estuche / Paquete CI
BGA
No. de Pines
84Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de DRAM
DDR2
Densidad de DRAM
0
Configuración de Memoria
64M x 16bit
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
1.8V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IS43DR16640B-25DBLI
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidad del producto