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SPW20N60CFDFKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 20.7 A, 0.22 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPW20N60CFDFKSA1
No. Parte Newark98K0738
También conocido comoSPW20N60CFD, SP000014535
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPW20N60CFDFKSA1
No. Parte Newark98K0738
También conocido comoSPW20N60CFD, SP000014535
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id20.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.19ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd208W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia208
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SPW20N60CFDFKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The SPW20N60CFD is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V CoolMOS™ CFD combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. It has outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness. It is suitable for server, telecom, PC power, solar, phase-shift ZVS, DC-to-AC power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Intrinsic fast-recovery body diode
- Periodic avalanche rated
- Extreme low reverse recovery charge
- High peak current capability
- Improved efficiency
- More efficient, more compact, lighter and cooler
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.19ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
208
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
208W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto