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SPI08N80C3XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-262, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPI08N80C3XKSA1
No. Parte Newark50Y7850
También conocido comoSPI08N80C3, SP000683148
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPI08N80C3XKSA1
No. Parte Newark50Y7850
También conocido comoSPI08N80C3, SP000683148
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.65ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.56ohm
Diseño de TransistorTO-262
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd104W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia104W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
The SPI08N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is designed for high DC bulk voltage and switching applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.65ohm
Diseño de Transistor
TO-262
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.56ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
104W
Disipación de Potencia
104W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto