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SPB20N60C3ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPB20N60C3ATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6351
Cinta adhesiva98K0554
También conocido comoSPB20N60C3, SP000013520
Su número de pieza
3,773 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.340 | $4.34 |
| Total Precio | $4.34 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.340 |
| 10+ | $2.850 |
| 25+ | $2.580 |
| 50+ | $2.290 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $2.200 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPB20N60C3ATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6351
Cinta adhesiva98K0554
También conocido comoSPB20N60C3, SP000013520
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id20.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.19ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd208W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia208W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SPB20N60C3 es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 650V que presenta una corriente de puerta ultrabaja. Es adecuado para aplicaciones de servidor, telecomunicaciones, Alimentación de PC y adaptadores.
- Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Transconductancia mejorada
- Baja resistencia específica en estado ON
- Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Calidad probada en el campo CoolMOS™
- Clasificado avalancha periódica
- Alta eficiencia y densidad de potencia
- Excelente desempeño
- Alta confiabilidad
- Fácil de usar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
208W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.19ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
208W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SPB20N60C3ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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