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SPB17N80C3ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPB17N80C3ATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6350
Re-reeling (Rollos a medida)33P8201
Cinta adhesiva33P8201
También conocido comoSPB17N80C3, SP000013370
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2,523 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.220 | $4.22 |
| Total Precio | $4.22 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.220 |
| 10+ | $2.930 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $2.640 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPB17N80C3ATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6350
Re-reeling (Rollos a medida)33P8201
Cinta adhesiva33P8201
También conocido comoSPB17N80C3, SP000013370
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id17A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.29ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.25ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd227W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia227W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SPB17N80C3 es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 800 V que presenta una corriente de puerta ultrabaja. Está diseñado para aplicaciones de conmutación y voltaje de alto volumen de CD.
- Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Capacitancia efectiva ultrabaja
- Baja resistencia específica en estado ON
- Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Calidad probada en el campo CoolMOS™
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.25ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
227W
Disipación de Potencia
227W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.29ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SPB17N80C3ATMA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto