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SPA20N60CFDXKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20.7 A, 0.22 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA20N60CFDXKSA1
No. Parte Newark62M0122
También conocido comoSPA20N60CFD, SP000216361
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.390 |
| 10+ | $3.430 |
| 25+ | $3.370 |
| 50+ | $3.080 |
| 100+ | $2.780 |
| 250+ | $2.730 |
| 500+ | $1.930 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA20N60CFDXKSA1
No. Parte Newark62M0122
También conocido comoSPA20N60CFD, SP000216361
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id20.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.19ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22
Diseño de TransistorTO-220F
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd35W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia35
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SPA20N60CFD es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 600V que presenta una carga de puerta ultrabaja. Es adecuado para aplicaciones de servidor, telecomunicaciones, alimentación de PC, solar, ZVS de desplazamiento de fase, alimentación de CD a CA y adaptador.
- Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
- Extremo dV/dt clasificado
- Clasificado avalancha periódica
- Carga de recuperación inversa extremadamente baja
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Alta capacidad de corriente pico
- Diodo corporal intrínseco de recuperación rápida
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
35W
Disipación de Potencia
35
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.19ohm
Diseño de Transistor
TO-220F
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SPA20N60CFDXKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto