Imprimir página
SMBTA42E6327HTSA1
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 300 V, 500 mA, 360 mW, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSMBTA42E6327HTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)24AC9853RL
Cinta adhesiva24AC9853
Su número de pieza
39,001 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.561 | $0.56 |
| Total Precio | $0.56 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.561 |
| 50+ | $0.343 |
| 100+ | $0.219 |
| 250+ | $0.192 |
| 500+ | $0.164 |
| 1000+ | $0.146 |
| 2500+ | $0.135 |
| 5000+ | $0.123 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSMBTA42E6327HTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)24AC9853RL
Cinta adhesiva24AC9853
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor300
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua500
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia360
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición70
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.25
Ganancia de Corriente DC hFE0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
SMBTA42E6327HTSA1 is a NPN silicon high-voltage transistor.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Qualified according AEC Q101
- 300V minimum collector-emitter breakdown voltage at IC = 1mA, IB = 0
- 300V minimum collector base breakdown voltage at IC = 100µA, IE = 0
- 6V minimum emitter-base breakdown voltage at IE = 100µA, IC = 0
- 25 DC current gain at IC = 1mA, VCE = 10V
- 0.5V maximum collector-emitter saturation voltage at IC = 20mA, IB = 2mA
- 70MHz transition frequency at IC = 10MHz, VCE = 20V, f = 100MHz
- 500 mA collector current, 100mA base current
- 3 pin SOT23 package, 150°C junction temperature
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
300
Corriente del Colector Continua
500
Disipación de Potencia
360
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
70
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
