S80KS2562GABHB020

El S80KS2562GABHB020 es una memoria RAM dinámica (DRAM) HYPERRAM™ con autorrefresco e interfaz HYPERBUS™. Se trata de una memoria DRAM CMOS de alta velocidad con autorrefresco e interfaz HYPERBUS™. La matriz DRAM utiliza celdas dinámicas que requieren una actualización periódica. La lógica de control de actualización dentro del dispositivo gestiona las operaciones de actualización en la matriz DRAM cuando la memoria no está siendo leída o escrita activamente por el host de la interfaz HYPERBUS™. Dado que el host no necesita gestionar ninguna operación de actualización, la matriz DRAM se presenta al host como si la memoria utilizara celdas estáticas que retienen datos sin necesidad de actualización. Por lo tanto, la memoria se describe con mayor precisión como RAM pseudoestática (PSRAM). Dado que las celdas DRAM no se pueden actualizar durante una transacción de lectura o escritura, es necesario que el host limite la duración de las transferencias en ráfaga de lectura o escritura para permitir las operaciones de actualización de la lógica interna cuando sean necesarias.

• Soporte para interfaz de 1.8V, reloj de terminación simple (CK) - 11 señales de bus
• Estroboscopio de datos de lectura/escritura bidireccional (RWDS), entrada durante las transacciones de escritura como máscara de datos de escritura
• Salida al inicio de todas las transacciones para indicar la latencia de actualización.
• Salida durante las transacciones de lectura como señal de lectura
• Frecuencia de reloj máxima de 200MHz, DDR - transfiere datos en ambos flancos del reloj.
• Densidad de 256Mb
• El rango de alimentación VCC es de 1.7 a 2V.
• La corriente de espera de VCC es de 470µA típica en CS# = VCC, VCC = VCC máx.; matriz completa
• Paquete FBGA de 24 bolas
• Automotriz, rango de temperatura AEC-Q100 grado 2 (-40°C a +105°C)