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S29GL512T11FHIV10
FLASH MEMORY, 512MBIT, 85DEG C, FBGA-64
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL512T11FHIV10Copiar
No. Parte Newark62AK6002
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $12.480 |
| 10+ | $11.640 |
| 25+ | $11.290 |
| 50+ | $11.140 |
| 100+ | $10.900 |
| 250+ | $10.540 |
| 500+ | $10.270 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL512T11FHIV10Copiar
No. Parte Newark62AK6002
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria512
Configuración de Memoria64M x 8bit
Configuración Memoria Flash0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesParallel
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29GL512T11FHIV10 es un circuito integrado de memoria flash en modo página S29GL512T MIRRORBIT™ fabricado con tecnología de proceso de 45nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 15 ns, con un tiempo de acceso aleatori
- Alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado de 2.7V a 3.6V, amplio rango de voltaje de E/S (VIO): 1.65V to VCC
- Bus de datos ×8/×16, lectura de página asíncrona de 32 bytes, búfer de programación de 512 bytes
- Programación en múltiplos de página, hasta un máximo de 512bytes
- Comprobación y corrección automática de errores ECC: hardware ECC interno con corrección de errores de un solo bit.
- Comandos de suspensión y reanudación para operaciones de programación y borrado, sectores uniformes de 128KB.
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Protección avanzada del sector (ASP), métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector.
- Matriz de programación única (OTP) independiente de 2048 bytes, cuatro regiones bloqueables (SSR0–SSR3)
- Tiempo de acceso aleatorio de 110ns, paquete de matriz de rejilla de bolas reforzada (LAA064)
- VIO= 1.65V a VCC; VCC= 2.7V a 3.6V; rango de temperatura industrial: -40 °C a 85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Densidad de Memoria
512
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
Parallel
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
64M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
64Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto