Imprimir página
S29GL512S11TFIV20
Memoria Flash, NOR Paralela, 512 Mbit, 64M x 8bit, Paralelo, TSOP, 56 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL512S11TFIV20
No. Parte Newark62AK6000
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Su número de pieza
897 En Inventario
¿Necesita más?
34 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
863 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.110 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$9.11
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL512S11TFIV20
No. Parte Newark62AK6000
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria512
Configuración de Memoria64M x 8bit
Configuración Memoria Flash0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CITSOP
Memoria, Tipo0
No. de Pines56Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29GL512S11TFIV20 es un circuito integrado de memoria flash en modo página S29GL512S MIRRORBIT™ fabricado con tecnología de proceso de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 15ns con un tiempo de acceso aleatorio
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátiles, alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (de 2.7V a 3.6V).
- Función de E/S versátil, amplio rango de voltaje de E/S (VIO): 1.65V to VCC
- Bus de datos ×16, lectura de página asíncrona de 32 bytes, búfer de programación de 512 bytes
- Comprobación y corrección automática de errores (ECC): ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit
- Borrado de sectores uniforme: sectores de 128kbytes, protección avanzada de sectores (ASP), retención de datos de 20 años.
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Comandos de suspensión y reanudación para operaciones de programación y borrado, 100000 ciclos de programación/borrado.
- Matriz de programación única (OTP) independiente de 1024bytes con dos regiones bloqueables
- Tiempo de acceso aleatorio de 110ns, encapsulado TSOP (Thin Small Outline Package) con distribución de pines estándar.
- VIO= 1.65V a VCC; VCC= 2.7V a 3.6V; rango de temperatura industrial: -40 °C a 85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Densidad de Memoria
512
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
Parallel
Memoria, Tipo
0
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
64M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
TSOP
No. de Pines
56Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto