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S29GL128S10TFI010
Memoria Flash, NOR Paralela, 128 Mbit, 8M x 16bit, Paralelo, TSOP, 56 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL128S10TFI010
No. Parte Newark59T0084
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL128S10TFI010
No. Parte Newark59T0084
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria128
Configuración de Memoria16M x 8bit
Configuración Memoria Flash0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesCFI, Parallel
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines56Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso100
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29GL128S10TFI010 es un producto de memoria flash NOR paralela MIRRORBIT™ Eclipse de 128Mbit y 16M x 8 bits, fabricado con tecnología de proceso de 65nm. El dispositivo es ideal para aplicaciones integradas que requieren mayor densidad, mejor rendimien
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátiles e interfaces paralelas de acceso aleatorio de 100ns.
- VIO = VCC = 2.7V a 3.6V, sector de dirección más alta protegido
- Lectura asincrónica de páginas de 32 bytes
- Buffer de programación de 512 bytes, programación en múltiplos de página, hasta un máximo de 512 bytes
- Opciones de una sola palabra y de varios programas sobre la misma palabra
- Comprobación y corrección automática de errores (ECC): ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- 100,000 ciclos de programación/borrado, 20 años de retención de datos, matriz OTP independiente de 1024 bytes con 2 regiones bloqueables
- Paquete TSOP de 56 pines y rango de temperatura industrial de -40 a 85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Densidad de Memoria
128
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
CFI, Parallel
Estuche / Paquete CI
TSOP
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
100
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
16M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
56Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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