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S29GL01GT10FHI010
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Paralelo, FBGA, 64 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GT10FHI010
No. Parte Newark22AC8617
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
1,073 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $14.580 |
| 10+ | $13.460 |
| 25+ | $13.040 |
| 50+ | $12.290 |
| 100+ | $11.680 |
| 250+ | $11.250 |
| 500+ | $11.010 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GT10FHI010
No. Parte Newark22AC8617
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria1
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria128M x 8bit
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesCFI, Paralelo
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso100
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL01GT10FHI010 es un producto flash NOR paralelo Eclipse MIRRORBIT™ de 128M x 8 bits y 1Gbit fabricado con tecnología de proceso de 45nm. El dispositivo es ideal para aplicaciones integradas que requieren mayor densidad, mejor rendimiento y menor consumo de energía.
- VIO=VCC=2,7-3.6V (sector de dirección alta protegido), tiempo de acceso aleatorio de 100ns
- Interfaz paralela CFI
- Lectura asincrónica de páginas de 32 bytes
- Buffer de programación de 512 bytes, programación en múltiplos de página, hasta un máximo de 512 bytes
- Opciones de una sola palabra y de varios programas sobre la misma palabra
- Comprobación y corrección automática de errores (ECC): ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- 100,000 ciclos de programación/borrado, 20 años de retención de datos, matriz OTP independiente de 2048 bytes con 4 regiones bloqueables
- Paquete de matriz de rejilla de bolas reforzada (LAA064) de 13 x 11mm, rango de temperatura industrial de -40 a 85 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Densidad de Memoria
1
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Interfaces
CFI, Paralelo
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
100
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
64Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto