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S29GL01GS11TFIV10
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Paralelo, TSOP, 56 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11TFIV10Copiar
No. Parte Newark39AH9291
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $14.270 |
| 10+ | $13.200 |
| 25+ | $13.030 |
| 50+ | $12.860 |
| 100+ | $11.470 |
| 250+ | $11.030 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11TFIV10Copiar
No. Parte Newark39AH9291
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Densidad de Memoria1
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria128M x 8bit
InterfacesCFI, Paralelo
Tipo de Interfaz IC0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines56Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
S29GL01GS11TFIV10 es un producto flash NOR paralelo Eclipse MIRRORBIT™ de 128M x 8 bits y 1Gbit fabricado con tecnología de proceso de 65nm. El dispositivo es ideal para aplicaciones integradas que requieren mayor densidad, mejor rendimiento y menor consumo de energía.
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil, tiempo de acceso aleatorio de 110ns, interfaces paralelas CFI
- VIO=1.65V a VCC, VCC=2.7V a 3.6V, sector de dirección más alta protegido
- Función de E/S versátil, amplio rango de voltaje de E/S (VIO): 1.65V a VCC y bus de datos ×16
- Lectura de página asincrónica de 32 bytes y búfer de programación de 512 bytes
- Opciones de una sola palabra y de varios programas sobre la misma palabra
- Comprobación y corrección automática de errores (ECC): ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- 100,000 ciclos de programación/borrado, 20 años de retención de datos, matriz OTP independiente de 1024 bytes con 2 regiones bloqueables
- Paquete TSOP de 56 pines y rango de temperatura industrial de -40 a 85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
TSOP
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
1
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
CFI, Paralelo
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
56Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto