Imprimir página
S29GL01GS11DHIV13
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, Paralelo, FBGA, 64 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11DHIV13
No. Parte Newark87AK1597
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
1,627 En Inventario
¿Necesita más?
28 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
1599 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $17.480 |
| 10+ | $16.790 |
| 25+ | $16.170 |
| 50+ | $15.680 |
| 100+ | $15.400 |
| 250+ | $15.190 |
| 500+ | $15.090 |
| 1000+ | $14.990 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$17.48
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11DHIV13
No. Parte Newark87AK1597
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria1
Configuración de Memoria128M x 8bit
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL01GS11DHIV13 is a MIRRORBIT™ Eclipse flash memory fabricated on 65-nm process technology. This device offers a fast page access time of as fast as 15ns with a corresponding random access time of as fast as 90ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes this device ideal for today’s embedded applications requiring higher density, better performance, and lower power consumption.
- 110ns random access time speed option, industrial temperature range from -40°C to +85°C
- Fortified ball-grid array (LAE064) package type
- VIO is 1.65V to VCC, VCC is 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
- ×16 data bus, asynchronous 32byte page read
- Sector erase, uniform 128kbyte sectors
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Automatic error checking and correction internal hardware ECC with single bit error correction
- Separate 1024byte one time program (OTP) array with two lockable regions
- Volatile and non-volatile protection methods for each sector
- 100000 program / erase cycles, 20 years data retention
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Densidad de Memoria
1
Interfaces
Parallel
No. de Pines
64Pines
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto