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S29GL01GS10FHI010
FLASH MEMORY, 1GBIT, 85DEG C, FBGA-64
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS10FHI010Copiar
No. Parte Newark62AK5977
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $18.560 |
| 10+ | $17.290 |
| 25+ | $16.870 |
| 50+ | $16.640 |
| 100+ | $16.420 |
| 250+ | $16.020 |
| 720+ | $14.690 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS10FHI010Copiar
No. Parte Newark62AK5977
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria1
Configuración de Memoria128M x 8bit
Configuración Memoria Flash0
InterfacesParallel
Tipo de Interfaz IC0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso100
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29GL01GS10FHI010 es un circuito integrado de memoria flash en modo página S29GL01GS MIRRORBIT™ fabricado con tecnología de proceso de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 15ns con un tiempo de acceso aleatorio
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátiles, alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (de 2.7V a 3.6V).
- Función de E/S versátil, amplio rango de voltaje de E/S (VIO): 1.65V to VCC
- Bus de datos ×16, lectura de página asíncrona de 32 bytes, búfer de programación de 512 bytes
- Comprobación y corrección automática de errores (ECC): ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit
- Borrado de sectores uniforme: sectores de 128kbytes, protección avanzada de sectores (ASP), retención de datos de 20 años.
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Comandos de suspensión y reanudación para operaciones de programación y borrado, 100000 ciclos de programación/borrado.
- Matriz de programación única (OTP) independiente de 1024bytes con dos regiones bloqueables
- Encapsulado reforzado de matriz de rejilla de bolas (LAA064), rango de temperatura industrial (–40 a 85 °C)
- VIO = VCC = 2.7V a 3.6V, sector de dirección más alto protegido, tiempo de acceso aleatorio de 100ns
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Densidad de Memoria
1
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
100
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Interfaces
Parallel
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
64Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto