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S25FL512SAGBHVB10
MEMORIA FLASH, 512MBIT, -40 A 105°C
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL512SAGBHVB10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark62AK5942
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.290 |
| 10+ | $7.710 |
| 25+ | $7.480 |
| 50+ | $7.300 |
| 100+ | $7.130 |
| 250+ | $6.980 |
| 500+ | $6.820 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL512SAGBHVB10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark62AK5942
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashSerial NOR
Densidad de Memoria512
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria64M x 8bit
InterfacesSPI
Tipo de Interfaz IC0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIBGA
No. de Pines24Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj133
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S25FL512SAGBHVB10 es un circuito integrado de memoria flash de interfaz periférica serial (SPI) FL-S de 3V de la serie S25FL que utiliza la tecnología MIRRORBIT™ (que almacena dos bits de datos en cada transistor de la matriz de memoria), la arquitectu
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil, SPI con E/S múltiple
- Conjunto de comandos en serie y huella compatibles con las familias SPI S25FL-A, S25FL-K y S25FL-P
- Comandos de lectura: Normal, rápido, doble, cuádruple, DDR rápido, DDR doble, DDR cuádruple
- AutoBoot enciende/reinicia y ejecuta automáticamente un comando de lectura normal/cuádruple en la dirección preseleccionada.
- Datos de interfaz flash común (CFI) para información de configuración, densidad de 512Mb
- Buffer de programación de páginas de 512 bytes, programación de páginas de cuatro entradas (QPP) para sistemas de reloj lento
- Retención de datos: 20 años, matriz OTP de 1024 bytes, protección avanzada de sectores (ASP)
- El rango de voltaje de alimentación del núcleo es de 2.7V a 3.6V, y el rango de voltaje de alimentación de E/S es de 1.65V a 3.6V.
- Velocidad de 133MHz, encapsulado BGA de 24 bolas, temperatura industrial plus de -40 °C a 105 °C.
- EHPLC, encapsulado BGA de 4 × 6 bolas con RESET# y VIO, sectores uniformes de 256kB
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Serial NOR
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
64M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
BGA
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Densidad de Memoria
512
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
SPI
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
24Pines
Frecuencia Max de Reloj
133
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto