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S25FL128SDPMFIG11
FLASH MEMORY, 128MBIT, 85DEG C, SOIC-16
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL128SDPMFIG11
No. Parte Newark62AK5920
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL128SDPMFIG11
No. Parte Newark62AK5920
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashSerial NOR
Densidad de Memoria128
Tamaño de la Memoria0
Configuración de Memoria16M x 8bit
Configuración Memoria Flash0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesSPI
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CISOIC
No. de Pines16Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj66
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S25FL128SDPMFIG11 es un circuito integrado de memoria flash de interfaz periférica serial (SPI) FL-S de 3V de la serie S25FL que utiliza la tecnología MIRRORBIT™ (que almacena dos bits de datos en cada transistor de la matriz de memoria), la arquitectu
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil, SPI con E/S múltiple, polaridad de reloj SPI y modos de fase 0 y 3.
- Conjunto de comandos en serie y huella compatibles con las familias SPI S25FL-A, S25FL-K y S25FL-P
- Comandos de lectura: Normal, rápido, doble, cuádruple, DDR rápido, DDR doble, DDR cuádruple
- Programación de página de entrada cuádruple (APP) para sistemas de reloj lento
- Protección individual del sector controlada por código de arranque o contraseña
- Generación automática de código de corrección de errores de hardware interno ECC con corrección de errores de un solo bit.
- Retención de datos: 20 años, matriz OTP de 1024 bytes, protección avanzada de sectores (ASP)
- El rango de voltaje de alimentación del núcleo es de 2.7V a 3.6V, y el rango de voltaje de alimentación de E/S es de 1.65V a 3.6V.
- Densidad de 128Mb, velocidad DDR de 66MHz, encapsulado SO de 16 pines, temperatura industrial (-40 °C a 85 °C).
- EHPLC, encapsulado SO con RESET#, sectores uniformes de 256 kB
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Serial NOR
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
SPI
Estuche / Paquete CI
SOIC
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Densidad de Memoria
128
Configuración de Memoria
16M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
16Pines
Frecuencia Max de Reloj
66
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto