| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $36.150 |
Información del producto
Resumen del producto
KITDRIVER1EDN7512BTOBO1 es un kit de evaluación para el CI de controlador de compuerta de lado bajo de un solo canal EiceDRIVER™ 1EDN7512B. Este kit de evaluación proporciona una plataforma de prueba para el controlador de compuerta no aislado de un solo canal CI EiceDRIVER™ 1EDN7512B de Infineon en paquete SOT-23 de 5 pines. El circuito de control completo está integrado en la placa para permitir un descubrimiento simple y práctico paso a paso de las características del 1EDN7512B y para evaluar la influencia del circuito de control circundante en la señal entregada a la carga. Para ello se puede seleccionar un MOSFET de superjunción CoolMOS™ o una solución MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon. Plataforma de solución completa y fácil de usar, que integra el CI de controlador de compuerta EiceDRIVER™ 1EDN7512B de Infineon y el MOSFET CoolMOS™ SJ o el MOSFET de potencia OptiMOS™. Destinado a SMPS, fuentes de alimentación y aplicaciones industriales de fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
- Es posible evaluar la influencia de la carga de la compuerta (Rg o Cgs) en el comportamiento de conducción.
- Fácil de reemplazar y probar diferentes MOSFET de potencia en el paquete TO-220
- Familiarícese con las características del EiceDRIVER™ 1EDN7512B de Infineon
- Comprender la influencia de la carga de la compuerta en el comportamiento de conducción
- Rango de voltaje de suministro de 4.5 a 20V
- Rango de frecuencia de 100KHz a 200KHz.
Contenido
CI Controlador de compuerta EiceDRIVER™ (1EDN7512B), disipador de calor para MOSFET TO-220.
Especificaciones técnicas
Infineon
Power Management
Evaluation Board 1EDN7512B
No SVHC (25-Jun-2025)
1EDN7512B
MOSFET Gate Driver
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Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto