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ISC033N03LF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 30V, 108A, TDSON
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteISC033N03LF2SATMA1Copiar
No. Parte Newark22AM3160
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
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4,967 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.597 |
| 10+ | $0.419 |
| 25+ | $0.375 |
| 50+ | $0.351 |
| 100+ | $0.327 |
| 250+ | $0.304 |
| 500+ | $0.289 |
| 1000+ | $0.278 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteISC033N03LF2SATMA1Copiar
No. Parte Newark22AM3160
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id108A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3300µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.35V
Disipación de Potencia71W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
108A
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
71W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.35V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
StrongIRFET 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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