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ISA170230C04LMDSXTMA1
MOSFET, CANAL P/COMP N, 40V, 9,6A, SOIC
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteISA170230C04LMDSXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)20AM0217RL
Cinta adhesiva20AM0217
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
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3,928 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.280 | $2.28 |
| Total Precio | $2.28 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.280 |
| 50+ | $1.180 |
| 100+ | $1.080 |
| 250+ | $0.987 |
| 500+ | $0.893 |
| 1000+ | $0.875 |
| 2500+ | $0.857 |
| 5000+ | $0.839 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteISA170230C04LMDSXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)20AM0217RL
Cinta adhesiva20AM0217
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.017ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.023ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.5W
Disipación de Potencia de Canal P2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9.6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.023ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.5W
Rango de Producto
OptiMOS 3 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.017ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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