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IRLR3705ZTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 42 A, 0.008 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR3705ZTRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)42Y0442
Cinta adhesiva42Y0442
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.247 | $0.25 |
| Total Precio | $0.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $2.060 | $0.247 |
| 10+ | $1.320 | $0.247 |
| 25+ | $1.170 | $0.247 |
| 50+ | $1.030 | $0.247 |
| 100+ | $0.884 | $0.247 |
| 250+ | $0.792 | $0.247 |
| 500+ | $0.699 | $0.247 |
| 1000+ | $0.641 | $0.247 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR3705ZTRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)42Y0442
Cinta adhesiva42Y0442
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia130
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRLR3705ZTRPBF
2 productos encontrados
Resumen del producto
The IRLR3705ZTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Logic level
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8000µohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
130
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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