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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.230 |
| 10+ | $0.802 |
| 25+ | $0.747 |
| 50+ | $0.691 |
| 100+ | $0.636 |
| 250+ | $0.577 |
| 500+ | $0.518 |
| 1000+ | $0.478 |
Información del producto
Resumen del producto
El IRLR120NTRPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal N de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia ON posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o onda. Es posible un nivel de disipación de potencia de hasta 1.5W en aplicaciones típicas de montaje en superficie.
- Tecnología de proceso avanzada
- Conmutación rápida
- Calificación de avalancha completa
- Baja resistencia de encendido estática drenaje a fuente
- Clasificación dv/dt dinámica
- Nivel lógico
Especificaciones técnicas
Canal N
100
0.185ohm
TO-252AA
39W
2
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
N Channel
10
0.185
Surface Mount
10
39
175
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRLR120NTRPBF
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
