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IRLML6344TRPBF
N CHANNEL MOSFET, 30V, 5A, 3-SOT-23
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML6344TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo63AK1735
Cinta adhesiva25T5500
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001574050
Su número de pieza
32,871 En Inventario
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4226 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.553 | $0.55 |
| Total Precio | $0.55 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.553 |
| 10+ | $0.354 |
| 25+ | $0.315 |
| 50+ | $0.275 |
| 100+ | $0.236 |
| 250+ | $0.211 |
| 500+ | $0.185 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.127 |
| 12000+ | $0.122 |
| 24000+ | $0.114 |
| 36000+ | $0.110 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML6344TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo63AK1735
Cinta adhesiva25T5500
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001574050
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.029ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Disipación de Potencia1.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLML6344TRPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N para el interruptor de carga/sistema.
- Estándar en la industria
- MSL1, calificación industrial
- Compatibilidad con múltiples proveedores
- Amigable con el medio ambiente
- Montaje Superficial
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.029ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Disipación de Potencia
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRLML6344TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto