IRLML2803TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRLML2803TRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 45 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo87AK1450 Re-reeling (Rollos a medida)97K2352RL Cinta adhesiva97K2352 |
| También conocido como | SP001572964 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
210,000 Puede reservar stock ahora
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.451 | $0.45 |
| Total Precio | $0.45 | ||
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.451 |
| 50+ | $0.197 |
| 100+ | $0.172 |
| 250+ | $0.150 |
| 500+ | $0.128 |
| 1000+ | $0.125 |
| 2500+ | $0.123 |
| 5000+ | $0.120 |
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.093 |
| 12000+ | $0.080 |
| 18000+ | $0.078 |
| 30000+ | $0.077 |
| 60000+ | $0.075 |
| 150000+ | $0.074 |
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRLML2803TRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 45 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo87AK1450 Re-reeling (Rollos a medida)97K2352RL Cinta adhesiva97K2352 |
| También conocido como | SP001572964 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 30V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 850mA |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.25ohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.3ohm |
| Diseño de Transistor | SOT-23 |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia Pd | 400mW |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 1V |
| Disipación de Potencia | 400mW |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El IRLML2803PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con extremadamente baja resistencia a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Los HEXFET de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET® son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Perfil bajo (<lt/>1.1mm)
- Ultra baja resistencia de encendido
- Voltaje de fuente de puerta de ±20V
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 30V |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.25ohm |
| Diseño de Transistor | SOT-23 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 1V |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 850mA |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.3ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 400mW |
| Disipación de Potencia | 400mW |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLML2803TRPBF
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |