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IRLB8721PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 62 A, 0.0087 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLB8721PBF
No. Parte Newark10R3513
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001558140
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLB8721PBF
No. Parte Newark10R3513
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001558140
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id31A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0065ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8700µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd65W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8V
Disipación de Potencia65W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRLB8721PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 30 V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando la tecnología MOSFET de Zanja. Adecuado para convertidores reductores síncronos de alta frecuencia para potencia de procesador de computadora, optimizados para aplicaciones de UPS/inversor, convertidores CD-CD aislados de alta frecuencia con rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial.
- Muy bajo RDS (ON) a 4.5V VGS
- Impedancia de puerta ultrabaja
- Tensión y corriente de capacitancia y avalancha completamente caracterizadas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0065ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
31A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8700µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
65W
Disipación de Potencia
65W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto