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IRLB8314PBF
MOSFET, N-CH, 30V, 130A, TO-220AB-3
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLB8314PBFCopiar
No. Parte Newark97Y1846
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
2,711 En Inventario
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.290 |
| 10+ | $1.160 |
| 100+ | $0.901 |
| 500+ | $0.743 |
| 1000+ | $0.587 |
| 3000+ | $0.548 |
| 10000+ | $0.510 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.29
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLB8314PBFCopiar
No. Parte Newark97Y1846
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id171A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0019ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2400µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia Pd125W
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia HEXFET® optimizado para aplicaciones UPS/inversor y herramientas eléctricas de bajo voltaje
- El mejor rendimiento de su clase para aplicaciones de UPS/inversores
- Muy bajo RDS (ON) a 4.5V VGS
- Ultra baja Impedancia de compuerta
- Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0019ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
125W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
171A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2400µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto