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IRFZ48NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRFZ48NPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 63J7152 |
| También conocido como | SP001552474 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.110 |
| 10+ | $1.380 |
| 100+ | $0.968 |
| 500+ | $0.789 |
| 1000+ | $0.773 |
| 2500+ | $0.757 |
| 10000+ | $0.742 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRFZ48NPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 63J7152 |
| También conocido como | SP001552474 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 55 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 64 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.014 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.014ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 94W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 94 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El IRFZ48NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 55V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando tecnología planar avanzada.
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 55 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.014 |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 64 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.014ohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 94W |
| Disipación de Potencia | 94 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFZ48NPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |