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IRFZ44EPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 48 A, 23 mohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFZ44EPBF
No. Parte Newark63J7128
También conocido comoSP001557776
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFZ44EPBF
No. Parte Newark63J7128
También conocido comoSP001557776
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id48
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente23
Resistencia de Activación Rds(on)0.023ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd110W
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza IRFZ44EPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El IRFZ44EPBF es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona una operación extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Calificación de avalancha completa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
23
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
48
Resistencia de Activación Rds(on)
0.023ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto