Imprimir página
IRFU3607PBF
MOSFET, N, I-PAK
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRFU3607PBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 11N7916 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
11,150 En Inventario
51,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.060 |
| 10+ | $1.310 |
| 100+ | $0.927 |
| 500+ | $0.832 |
| 1000+ | $0.698 |
| 2500+ | $0.684 |
| 10000+ | $0.670 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.06
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRFU3607PBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 11N7916 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 75V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 56A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 7340µohm |
| Diseño de Transistor | TO-251AA |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4V |
| Disipación de Potencia | 140W |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 75V |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-251AA |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia | 140W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 56A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 7340µohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4V |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |