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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFU120NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark38K2655
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.380 |
| 10+ | $1.170 |
| 100+ | $0.879 |
| 500+ | $0.696 |
| 1000+ | $0.590 |
| 2500+ | $0.466 |
| 10000+ | $0.437 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFU120NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark38K2655
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id9.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.21ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.21
Diseño de TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia48
Disipación de Potencia Pd48W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia de canal N único en un paquete I-Pak. Utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de CD, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por batería.
- Tecnología de proceso avanzada
- Conmutación rápida
- Clasificado avalancha completa
- Estructura de celda planar para SOA amplio
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- Mayor robustez
- Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
- El arreglo de pines estándar permite un reemplazo directo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.21ohm
Diseño de Transistor
TO-251AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
48
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.21
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
48W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
